AI와 미래기술

[초보자도 이해하는 디램] 종류별 특징부터 삼성·하이닉스 경쟁까지 한눈에 정리!

makdungmakdung 2025. 5. 1. 12:09

"램에도 급이 있다? 디램 종류 총정리!"

D램, 중국이 추격하고 있다.

스마트폰, 컴퓨터, 게임기까지 우리가 매일 쓰는 모든 디지털 기기의 핵심 부품 중 하나는 바로 RAM(램) 입니다. 특히 AI, 자율주행, 메타버스 기술이 발전하면서 고성능 메모리 수요가 폭발적으로 증가하고 있고, 삼성전자와 SK하이닉스는 이 시장에서 수년째 선두를 달리고 있습니다.

최근 저도 노트북을 업그레이드하려고 메모리 스펙을 살펴보다가, 생각보다 램의 종류와 기술이 다양하다는 걸 깨달았는데요. 그래서 이번 글에서는 디램(DRAM)의 기본 개념부터 주요 메모리 종류, 제조사별 경쟁 상황, 공정 기술까지 전반을 알기 쉽게 정리해보았습니다.

🧠 DRAM의 개념과 특징

  • DRAM이란?
    Dynamic Random Access Memory의 약자로, 휘발성 메모리입니다. 즉, 전원이 꺼지면 데이터가 사라지죠. 다만 SSD보다 빠른 속도로 데이터를 읽고 쓸 수 있어 작업용 임시 저장소로 쓰입니다.
  • 왜 휘발성인가?
    디램의 셀 구조는 ‘축전기+트랜지스터’로 되어 있어 시간이 지나면 전기가 새어 나갑니다. 그래서 일정 주기로 데이터를 다시 써주는 ‘리프레시’ 작업이 필요하죠.

💡 DRAM의 주요 종류와 용도

▶DDR – 일반 PC와 서버용

  • 더블 데이터 레이트(Double Data Rate) 기술로, 한 클럭 주기당 2번 데이터를 전송합니다.
  • 현재 DDR5까지 발전했으며, 속도는 향상되고 전력 효율도 개선되었습니다.

▶LPDDR – 모바일 기기용 저전력 램

  • 스마트폰, 태블릿, 웨어러블 기기 등에 사용.
  • 낮은 전압과 절전 기능이 핵심.
  • 최신 LPDDR5X는 데스크톱용 DDR4를 넘는 성능을 내기도 합니다.

▶GDDR – 그래픽 처리 특화

  • GPU용 고속 메모리. 고해상도 게임과 3D 렌더링에 최적화.
  • 최신 GDDR6X는 PAM4 기술로 한 번에 더 많은 정보를 전송 가능.

▶ HBM – AI 서버용 초고대역폭 메모리

  • 디램 칩을 3D 수직 적층 구조로 쌓아 극단적인 속도와 용량 제공.
  • 대표적으로 HBM3e까지 발전.
  • AI, 슈퍼컴퓨터, 워크스테이션 등에서 사용.

▶ LLW – 초저지연, 실시간 반응형 램

  • AR/VR, 자율주행, 로보틱스 등에서 사용.
  • 낮은 레이턴시가 핵심. SK하이닉스의 LLW 램은 애플 비전 프로에 탑재된 바 있음.

🏭 디램 제조 공정과 미세화 경쟁

  • 공정 미세화 세대 구분
    • 1x (18nm급), 1y (15nm급), 1a, 1b 등으로 구분
    • 좁은 면적에 더 많은 셀을 배치해 속도와 전력 효율 향상
  • 대표 기업 경쟁 현황
    • 삼성전자·SK하이닉스: 초격차 유지 중
    • 미국 마이크론: 기술 개발 박차
    • 중국 CXMT: 뒤늦게 추격 중, 판도 변화 주목

📱 실생활 팁: 어떤 램을 선택해야 할까?

용도추천 램 종류이유
일반 데스크탑 DDR4/DDR5 가성비 및 성능 균형
최신 스마트폰 LPDDR5/5X 저전력 + 고성능
게이밍/그래픽용 GDDR6X 이상 초고속 데이터 처리
AI·서버용 HBM3 이상 대용량 + 초고속 대역폭
AR/VR, IoT LLW DRAM 초저지연, 실시간 응답 최적화

📝 마무리

하나의 “램”이라고 부르지만, 사용처에 따라 성능과 구조는 천차만별입니다. 기술이 고도화될수록 램도 더욱 전문화되고 있으며, 앞으로도 다양한 분야에서 중요한 역할을 하게 될 것입니다.
💬 혹시 지금 쓰고 있는 스마트폰이나 노트북은 어떤 램을 사용하고 있는지 한 번 확인해보는 건 어떨까요?

 

◆ 한국 vs  중국 D램 기술 수준 비교 (2025년 기준)

   항목                                    한국 (삼성전자, SK하이닉스)                                                중국 (CXMT)

 

공정 세대 1c (10나노급 6세대) 1z (16나노급)
대표 제품 DDR5, LPDDR5X, HBM3E DDR5 (초기 단계)
EUV 공정 적용 적용 중 미적용
HBM 기술 HBM3E 양산, HBM4 개발 중 자체 개발 초기 단계
시장 점유율 삼성전자 42.9%, SK하이닉스 34.5% 약 5%
기술 격차 선도 기업 약 3~5년 뒤처짐

 

💡 투자자들을 위한 인사이트

  • 한국 기업의 기술 선도: 삼성전자와 SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) D램 공정을 적용한 DDR5를 양산하고 있으며, HBM3E 및 차세대 HBM4 개발에 박차를 가하고 있습니다.​
  • 중국의 빠른 추격: CXMT는 16나노급(1z) 공정을 기반으로 DDR5를 양산하기 시작했으며, 생산 능력을 빠르게 확장하고 있습니다.​
  • 기술 격차 유지의 중요성: EUV 공정의 미적용과 HBM 기술의 초기 단계에 있는 중국과의 기술 격차를 유지하기 위해, 한국 기업들은 지속적인 연구개발과 생산 효율성 향상에 집중해야 합니다.​

📝 마무리

D램 시장에서의 기술 격차는 단순한 숫자 이상의 의미를 갖습니다. 한국 기업들이 선도적인 위치를 유지하기 위해서는 지속적인 혁신과 전략적인 투자가 필요합니다. 투자자들께서는 이러한 기술 동향과 시장 변화를 주의 깊게 살펴보시길 권장합니다.